雄芯05号，严格的来说，这其实还算不上碳基芯片的第一代产品。
尽管目前已经可以做到小批量的生产了，并且通过了一系列的测试实验，但这依旧改变不了它只是‘实验性’产品。
没错，雄芯05号只是在碳基芯片的研发中，首批具备相对成熟性计算功能的实验性产品，距离商业化的推出，还有很遥远的路要走。
每平方毫米上集成1000万颗碳基晶体管的芯片，别说是放到2025年的现在了，就是放到十年前2015年，其实集成晶体管的数量也无法和硅基芯片相比。
2015年的时候，英特尔正式发布了第五代处理器，使用14nm工艺，晶体管数量高达19亿个。
而徐川手上的这枚碳基芯片，晶体管总数量才堪堪达到10亿只，距离英特尔第五代产品还相差了接近一倍的距离。
不过碳基芯片和硅基芯片本身就是两个不同的产品，并不能完全一概而论。
以十亿只碳基晶体管数量构造的碳基芯片，就能够在性能上对标甚至超过英特尔的五代处理器。
10亿比19亿，一半的晶体管数量，性能完全不输，甚至在某些方面还超过了。
这足以见得碳基芯片的优越性和发展潜力。
毕竟目前来说，碳基芯片还处于研发的状态，无论是从设计软件、指令集体系、芯片设计等环节，几乎都是模仿硅基芯片而推衍的。
虽然理论上来说，碳基芯片和硅基芯片的差距并不大，硅基半导体能用的东西也几乎都可以直接套到碳基半导体上。
但这两终究是两种不同的元素材料，怎么可能百分百适配。
套用硅基芯片的设计应用到碳基芯片上目前也只是无奈之举而已，毕竟碳基芯片的研发是有史以来的头一次。
在这一领域，他们已经走到了世界的前沿了。
简单的来说，就是前面已经没有石头可以供他们摸着过河了，后面的路，都需要他们自己一点一点的摸索着前进。
如果是真正的碳基芯片，那么相关的电路设计，架构等等都是需要以碳基半导体材料为基础重新进行设计的。
现在，说句难听的话，即便是可以使用的成品芯片，也只是半成品而已。
如果等未来他们真正的依托碳基半导体材料开发和完善出来了一套配套的体系，做到了真正的碳基芯片.....
到时候整个行业就是他们说了算了，什么英伟达、台积电、阿斯麦、英特尔、高通之类的硅基半导体公司，都得跪下来喊他们爸爸。
总而言之，虽然技术才刚刚起步，但雄芯05号的性能已经初步展现了碳基芯片的优越性。
无论是热设计功耗30WTDP，还是主频达到了5.8Hz的频率，都极大的展示了碳基芯片的潜力，这些都是硅基芯片远远无法比拟的。
.......
简单的介绍了一下雄芯05号的性能后，赵光贵从柜子中再度取出来一枚碳基芯片。
看着呈放在保护盒中的样品，他感慨着开口道：“目前来说，这枚碳基芯片已经具备了一定的商业化价值了。”
“只不过无论是从设计还是制备方面来说都还有着许多的不足。”
“比如碳基晶体管的雕刻加工，虽然说是28纳米的工艺，但实际上中芯国际那边使用的是65纳米的氟化氩光刻机光刻机雕刻技术，叠加了多重曝光技术才做到28纳米的。”
“也就是说，目前咱们碳基芯片的纳米进程上限，依旧在一定程度上受到了光刻机的制约和影响。”
听到这话，徐川有些好奇的问道：“但是我记得碳基芯片好像可以绕过光刻机？使用其他的雕刻手段来着？之前我有看过类似的论文来着。”
微微顿了顿，他接着道：“而且如果我没记错的话，之前你们通过实验室制备‘MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管’和‘JFET结型场效应管’好像也没用光刻机吧？”
对于芯片制备相关的技术，他的确不是很了解，毕竟他并不是这一领域的研究人员。
不过星海研究院这边在研究碳基芯片，他还是看过一些芯片领域的论文的。
比如碳基芯片的雕刻技术，电路图的设计等等。
芯片芯片被誉为现代工业的掌上明珠，其制造过程涉及多个工艺步骤。
包括氧化光刻、离子注入、化学机械研磨、刻蚀、淀积、金属化、清洗等。
而在这些工艺步骤中，光刻技术尤为重要，是芯片制备的核心工艺之一，占芯片制造成本的35%以上
通常来说，芯片只能通过光刻机生产的主要原因是光刻技术具有高分辨率、高效率和多层次制造的能力。
越是高端的芯片，对光刻机的要求也就越高。
目前全世界能够生产低纳米级别光刻机的厂商，只有风车国的阿斯麦ASML公司。
这是光刻机领域的霸主，拥有极紫外（EUV）光刻机技术，能够生产最先进制程芯片的关键设备，被台积电、三星等芯片制造巨头依赖，用于5纳米及以下制程的芯片生产。
当然，阿斯麦ASML公司也并不是风车国的，它的光刻机技术可以说来源于整个西方国家利益集团。
比如日耳曼国的蔡司公司提供的顶级光学元件，樱花国提供的高质量光刻胶和单晶硅圆，光源来自米国的cymer公司等等。
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